Rumor Samsung Galaxy S11+ Tiga Kamera Selfi SN865 Soc

0
567
Samsung Galaxy S11
Foto: Paten Samsung (via androidgreek)
Loading...


Samsung kabarnya tengah ajukan paten terbaru melalui Korean Intellectual Property Office (KIPO), Paten ini merupakan desain kamera baru yang canggih berdesain punch-hole, yang dilengkapi dengan tiga kamera selfie, rumor-nya paten tersebut akan digunakan untuk ponsel flagship terbaru yaitu Samsung Galaxy S11+.

Kamera Samsung Galaxy S11 (Rumor)

Sedangkan yang sama-sama kita tahu, Galaxy S10+ dan Galaxy S10 5G memiliki dual kamera selfi, Spekulasi yang berkembang saat ini kemungkinan Samsung Galaxy S11+ akan memiliki penambahan satu kamera selfi, Terlepas apakah masih usung lensa lama yang sama atau lensa baru.

Kabar lainnya, Samsung sedang kembangkan sensor baru untuk 3D facial recognition daripada sensor depth dan akan digunakannya untuk bersaing dengan teknologi kamera Face Unlock dari Pixel 4 dan Face ID milik Apple, Sketsa paten juga menunjukkan bezel yang sangat tipis di semua sisi serta bentuk dari tiga kamera selfi yang lebih kecil.

Advertisements
Loading...


Review : Kupas Tuntas! SAMSUNG GALAXY NOTE 10+ Layak Beli? Indonesia

Spek Galaxy S11 (Rumor)

Rumor dari paten kamera dengan punch-hole yang ditempatkan pada bagian kiri atas dan rumor lain-nya Samsung akan menggunakan panel layar AMOLED, Galaxy S11 diperkirakan akan resmi diperkenalkan pada tanggal 18 Februari menjelang acara MWC 2020, Samsung rumor-nya juga akan memasukkan Snapdragon 865 SoC kedalam ponsel dan memiliki dukungan jaringa 5G dan 4G LTE.


Samsung Galaxy S11 juga kabarnya akan memiliki sensor sidik jari didalm layar, sensor kamera utamanya sebesar 108 Megapixel dan fitur Zoom 5x, RAM sebesar 12GB dan ROM seluas 1TB, mari kita tunggu seperti apa kelanjutan dari rumor Galaxy S11 yang hanya beberapa bulan lagi, Tetap terhubung dengan dhiarcom untuk dapatkan notifikasi update yang lebih menarik lainnya dengan tekan bell dibawah, salam Indonesia

via/source: androidgreek

New ON TikTok
Subscribe
Notify of
guest
0 Comments
Inline Feedbacks
View all comments